Samsung bắt đầu sản xuất DRAM cho thiết bị di động với tốc độ siêu cao
Hôm thứ 3, Samsung đã công bố đưa vào sản xuất dòng chip nhớ DRAM 4 Gbit cho di động với mức tiêu thụ điện năng thấp, tốc độ siêu cao đầu tiên, sử dụng công nghệ mạch nhỏ nhất của công ty hiện nay.
Dòng chip nhớ di động điện năng thấp LPDDR3 thế hệ mới của Samsung được sản xuất trên dây chuyền 20 nm và có thể truyền dẫn dữ liệu ở tốc độ lên đến 2,1 Gbps/pin. Qua đó, hiệu năng của DRAM mới gấp đôi so với chuẩn DRAM trước là LPDDR2 với tỉ lệ truyền dẫn tối đa chỉ 800 Mbps.
Với hiệu năng 2,1 Gbps, một thiết bị di động với chip DRAM nhúng của Samsung có thể truyền tải 3 bộ phim Full HD với tổng dung lượng 17 GB chỉ trong 1 giây, công ty điện tử Hàn Quốc cho biết.
Theo Samsung, loại RAM di động LPDDR3 mới cho phép phát dễ dàng những bộ phim Full HD trên smartphone với màn hình từ 5 inch trở lên. Nếu so sánh với loại DRAM LPDDR3 được sản xuất trên dây chuyền 30 nm, dòng chip mới tăng thêm 30% hiệu năng và tiết kiệm 20% điện năng.
Ngoài ra, dây chuyền 20 nm cũng cho phép tăng dung lượng bộ nhớ DRAM của thiết bị lên 2 GB bằng cách dùng 4 chip mới. Mỗi con chip có bề dày chỉ 0,8 mm.
Young-Hyun Jun, phó giám đốc điều hành mảng kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics cho biết: "Bằng việc cung cấp dòng chim nhớ di động thế hệ mới, hiệu quả hơn và dung lượng lớn, chúng tôi đã cho phép các nhà sản xuất OEM đưa nhiều thiết kế cải tiến hơn vào thị trường."
